Samsung 860 QVO 2.5" 1000 Go Série ATA III V-NAND MLC
EAN :
8801643443757
Part number:
MZ-76Q1T0BW
CDF 574,082.12
net
CDF 648,712.80
brut
Disponibilité:
EOL
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Produit indisponible
> 1 To 2.5" Série ATA III
> Vitesse de lecture: 550 Mo/s 96000 IOPS
> Vitesse d'écriture: 520 Mo/s 89000 IOPS
> V-NAND MLC
> 256-bit AES
> Support S.M.A.R.T. Support TRIM ECC
> composant pour: Ordinateur portable

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Description
Samsung 860 QVO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: 2.5", Vitesse de lecture: 550 Mo/s, Vitesse d'écriture: 520 Mo/s, Taux de transfert des données: 6 Gbit/s, composant pour: Ordinateur portable
Spécification
Caractéristiques
Type Flash NAND
MLC (Multi Level Cell)
Algorithme de sécurité soutenu

256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD)

1 To
Facteur de forme SSD

2.5"
Interface

Série ATA III
NVMe

Non
Type de mémoire

V-NAND MLC
composant pour

Ordinateur portable
Taux de transfert des données

6 Gbit/s
Vitesse de lecture

550 Mo/s
Vitesse d'écriture

520 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
96000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
89000 IOPS
Type de contrôleur
Samsung MJX
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui
Support TRIM
Oui
Support S.M.A.R.T.
Oui
ECC

Oui
IEEE 1667
Oui
Temps moyen entre pannes

1500000 h
Collecte des déchets active
Oui
TCG Opal 2.0
Oui
Classe TBW
1440
Puissance
Tension de fonctionnement

5 V
Consommation (max)

4 W
Consommation d'énergie (moyenne)
2,2 W
Consommation électrique (idle)
0,03 W
Poids et dimensions
Largeur

100 mm
Profondeur

69,8 mm
Hauteur

6,8 mm
Poids

51 g
Conditions environnementales
Température d'opération

0 - 70 °C
Température hors fonctionnement

-40 - 85 °C
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95%
Choc durant le fonctionnement

1500 G
Autres caractéristiques
Couleur du produit

Argent
Données logistiques
Code du système harmonisé
84717070
SKU :
1031320
Champ vide
Format incorrect
Format incorrect